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与硅晶圆相比,SiC晶圆的生产难点在哪里?

返回列表 来源:半导体行业观察 浏览: 发布日期:2021-08-05 09:26【
文章导读:当前,以硅基为材料的晶圆已经开始从8英寸迈向了12英寸,当前环境下,与硅晶圆相比,SiC晶圆的生产难点会在哪里?麻豆精品国产传媒小伙伴给大家收集了一些资料,一起来看一下。
     当前,以硅基为材料的晶圆已经开始从8英寸迈向了12英寸,当前环境下,与硅晶圆相比,SiC晶圆的生产难点会在哪里?麻豆精品国产传媒小伙伴给大家收集了一些资料,一起来看一下。
 
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     据介绍:“与硅材料芯片相比,8英寸和6英寸SiC生产的主要差别在高温工艺上,例如高温离子注入,高温氧化,高温激活等,以及这些高温工艺所需求的hard mask(硬掩模)工艺等。”而高温工艺关乎着SiC的良率,这也是各大SiC厂商所着力研发的关键环节之一。
 
     除了与硅晶圆在生产工艺上有所差异以外,在SiC从6英寸向8英寸发展的过程中也存在着一些差异。“在功率半导体制造的离子注入、薄膜沉积、介质刻蚀、金属化等环节,8英寸碳化硅与6英寸SiC的差距不大。”某博士指出:“8英寸SiC的制造难点主要集中在衬底生长、衬底切割加工、氧化工艺。其中,衬底生长方面,扩径到8英寸,对衬底生长的难度会成倍增加;衬底切割加工方面,越大尺寸的衬底切割应力、翘曲的问题越显著;氧化工艺一直是碳化硅工艺中的核心难点,8英寸、6英寸对气流和温场的控制有不同需求,工艺需各自独立开发。”
 
     显然,SiC向更大晶圆面积发展的路并不好走,在这一点上,从SiC从4英寸走向6英寸的过程中便可略窥一二——据 Yole 预测数据显示,2020 年4英寸SiC晶圆接近 10 万片,而 6英寸晶圆市场需求已超过8万片,预计将在2030年逐步超越4英寸晶圆。
 
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