等离子刻蚀中影响氮化硅侧壁蚀刻倾斜度的参数有哪些？
文章导读：在晶圆制造领域，使用等离子刻蚀不仅可以“吃掉”上层的光刻胶，也可以“吃掉”氮化硅薄膜， 形成一定的侧壁蚀刻倾斜度。
麻豆视频APP免费版系统能够完成表面清洗、活化、刻蚀以及涂镀等诸多功能，依据所需处理的材料与处理的目的，麻豆视频APP免费版系统能够完成不同的处理效果。麻豆视频APP免费版设备在半导体方向的使用有等离子刻蚀、显影、去胶、封装等。
等离子刻蚀工艺在半导体集成电路中，既能够刻蚀上表层的光刻胶，也能够刻蚀基层的氮化硅层，不仅如此还需要防止其对硅衬底造成刻蚀损害，从而造成器件暗电流增大，影响产品良率，为达到这诸多条件的工艺要求。等离子刻蚀工艺能够通过对真空麻豆视频APP免费版设备的部分参数调整，形成一些氮化硅层的特殊形貌，即侧壁蚀刻倾斜度。
侧壁蚀刻倾斜度的优势在于，当具有一定程度的倾斜度时，可以有效降低金属镀膜层在阶梯覆盖时出现断裂的几率，以及改善集成电路中工艺金属线路内部断裂的问题。如下所示是氮化硅侧壁垂直和具有一定程度的倾斜度的示意图：
通过多次的变量测试和实验，麻豆精品国产传媒可以通过真空度、等离子发生器的功率、CF4流量、O2流量、气体流量比、腔内压强以及处理时间等不同变量的研究，能够找到一个适合的氮化硅层侧壁刻蚀倾角。
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